技術(shù)領(lǐng)域

        本發(fā)明關(guān)于一種LED 晶粒核心BIN產(chǎn)品整片抽測(cè)方式（各電性、光學(xué)特性檢驗(yàn)），該系統(tǒng)中打破慣性思維的先翻膜后分片的抽測(cè)方法，采用先整片抽測(cè)晶圓后翻膜分片矩陣抽測(cè)的工藝方法。

背景技術(shù)

        在LED晶圓完成分類挑揀成為某一電性光學(xué)等級(jí)的成品后，會(huì)先使用點(diǎn)測(cè)設(shè)備對(duì)成品晶粒進(jìn)行抽測(cè)，以便確保各晶粒的電性、光學(xué)特性是與分類挑選的要求一致，同時(shí)是保證產(chǎn)品出貨的品質(zhì)。

        然而，目前核心BIN產(chǎn)品現(xiàn)有的抽測(cè)檢驗(yàn)實(shí)施方式是：先將核心BIN翻膜分片，再由點(diǎn)測(cè)設(shè)備對(duì)LED成品所有晶粒進(jìn)行坐標(biāo)全掃描，最后進(jìn)行矩陣抽測(cè)?，F(xiàn)我司核心BIN產(chǎn)品分為三片后抽測(cè)，所以一張4寸核心BIN產(chǎn)品要做三次全掃描+矩陣抽測(cè)（圖1），掃描時(shí)間和上下片時(shí)間耗時(shí)較長(zhǎng)。

圖1

        而這種做3次全掃描+矩陣抽測(cè)的方式，掃描的時(shí)間占了機(jī)臺(tái)運(yùn)行的大部分時(shí)間，而真正點(diǎn)測(cè)的時(shí)間實(shí)際很少，造成效率低下。因此，若能夠?qū)⒕Я呙璐螖?shù)變少，將上下片時(shí)間降到最低，同時(shí)亦可節(jié)省抽測(cè)機(jī)臺(tái)設(shè)備，即減少制造成本和人力成本，為最佳解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

        本發(fā)明的目的即在于提供一種LED成品晶粒抽測(cè)的新方式，分選下機(jī)后整片抽測(cè)晶圓系統(tǒng)賦予各子片抽測(cè)信息，能夠?qū)⒊闇y(cè)掃描時(shí)間和上下片時(shí)間縮短。     
 

        本發(fā)明所提供的一種 LED成品電性參數(shù)抽測(cè)的運(yùn)作方法，與變更前工藝方法更具優(yōu)勢(shì)：
       

        首先，所述的LED 晶粒核心BIN產(chǎn)品整片抽測(cè)方式，是全新的抽測(cè)方式，打破先分片翻膜后抽測(cè)的慣性思維，改進(jìn)為在字母環(huán)上抽測(cè)后分片。

        其次，所述的LED晶粒核心BIN產(chǎn)品整片抽測(cè)方式，有效降低抽測(cè)掃描時(shí)間、上下片時(shí)間和同等產(chǎn)能下可節(jié)省設(shè)備臺(tái)數(shù)的優(yōu)勢(shì)，生產(chǎn)效率可大幅度提高；節(jié)約機(jī)臺(tái)&人員成本。

        最后，此工藝運(yùn)作方法，LED 成品的抽測(cè)異常追訴準(zhǔn)確度大大提高，漏出率極低。

附圖說(shuō)明

        為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

        圖2是本發(fā)明實(shí)施核心BIN產(chǎn)品整片抽測(cè)掃描和測(cè)試的顯示圖：

       如圖所示，本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)整片掃描，矩陣電性測(cè)試，有效降低抽測(cè)上下片時(shí)間和掃描時(shí)間。

圖2