近日，國星光電子公司風華芯電成功開發(fā)出基于扇出面板級封裝的D-mode氮化鎵半橋模塊。

▲扇出型D-mode氮化鎵半橋模塊尺寸僅為6×7×0.45mm

該模塊在封裝形式上取得新突破，相對于傳統(tǒng)鍵合線框架封裝，模塊體積減少超67％，電路板布板面積降低30%，使得整體封裝結(jié)構(gòu)更緊湊、產(chǎn)品性能更出色，可進一步推動氮化鎵產(chǎn)品向小型化、輕薄化、高效化方向發(fā)展，為快充等消費電子市場應用提供更優(yōu)的技術(shù)解決方案。

技術(shù)創(chuàng)新

塑造市場競爭新優(yōu)勢

風華芯電此次推出的D-mode氮化鎵半橋模塊可更好地滿足消費電子市場應用產(chǎn)品集成度和小型化日益升級的需求。

模塊創(chuàng)新采用自主研發(fā)的扇出面板級封裝形式，其通過銅球鍵合工藝實現(xiàn)氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）和硅（Si MOS）芯片的凸點結(jié)構(gòu)，借助再布線層（RDL）的鍍銅工藝實現(xiàn)互連，達到4個功率管有效互連效果，并形成半橋拓撲結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的高密度集成，減少產(chǎn)品體積，提升性能優(yōu)勢，增強產(chǎn)品市場競爭力。

▲D-mode氮化鎵半橋模塊扇出面板級封裝布線結(jié)構(gòu)示意圖

錨定“三優(yōu)”

賦能產(chǎn)品提質(zhì)增效

基于扇出面板級封裝形式，D-mode氮化鎵半橋模塊實現(xiàn)了“三優(yōu)”目標：

▌性能更優(yōu)

由于扇出面板級封裝能夠在更狹小的空間內(nèi)完成更復雜電氣互連，更短的互連線路，使得整體模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)更緊湊，實現(xiàn)體積減少超67%，布板尺寸縮減30％。而且模塊的寄生電感、電阻更小，可充分發(fā)揮氮化鎵材料的高頻、高效率的特性，提升整體性能。